Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI7322DN-T1-GE3
- si7322dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 50V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7309DN-T1-GE3
- si7309dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 3.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 600pF @ 30V · FET Polarity: P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7308DN-T1-GE3
- si7308dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 5.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 665pF @ 15V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7196DP-T1-GE3
- si7196dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 16A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1577pF @ 15V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7194DP-T1-GE3
- si7194dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 60A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6590pF @ 15V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7192DP-T1-GE3
- si7192dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7186DP-T1-GE3
- si7186dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 80V 32A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2840pF @ 40V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7178DP-T1-GE3
- si7178dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 60A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2870pF @ 50V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7174DP-T1-GE3
- si7174dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 75V 60A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2770pF @ 40V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7172DP-T1-GE3
- si7172dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 25A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 5.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF @ 100V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7170DP-T1-GE3
- si7170dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4355pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7164DP-T1-GE3
- si7164dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 60A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2830pF @ 30V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7160DP-T1-GE3
- si7160dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 20A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2970pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7135DP-T1-GE3
- si7135dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 60A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8650pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7123DN-T1-GE3
- si7123dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 15A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3729pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7121DN-T1-GE3
- si7121dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1960pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7120DN-T1-GE3
- si7120dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7116DN-T1-GE3
- si7116dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 16.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7115DN-T1-GE3
- si7115dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 50V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7114DN-T1-GE3
- si7114dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 18.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.7A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК