Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SIA430DJ-T1-GE3
- sia430dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA426DJ-T1-GE3
- sia426dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.6 mOhm @ 9.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1020pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA421DJ-T1-GE3
- sia421dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA419DJ-T1-GE3
- sia419dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA417DJ-T1-GE3
- sia417dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 4V · FET Polarity: P-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA415DJ-T1-GE3
- sia415dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA413DJ-T1-GE3
- sia413dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA411DJ-T1-GE3
- sia411dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA408DJ-T1-GE3
- sia408dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9410DY,518
- si9410dy.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 7A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7898DP-T1-GE3
- si7898dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7892BDP-T1-GE3
- si7892bdp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 15A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3775pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7884BDP-T1-GE3
- si7884bdp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 58A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3540pF @ 20V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7882DP-T1-GE3
- si7882dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7858ADP-T1-GE3
- si7858adp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 12V 20A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 29A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5700pF @ 6V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7852ADP-T1-GE3
- si7852adp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 80V 30A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1825pF @ 40V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7848BDP-T1-GE3
- si7848bdp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 20V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7820DN-T1-GE3
- si7820dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7818DN-T1-GE3
- si7818dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 3.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI7812DN-T1-GE3
- si7812dn.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 840pF @ 35V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК