Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI5403DC-T1-GE3
- si5403dc.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1340pF @ 15V · FET Polarity: P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4890BDY-T1-GE3
- si4890bdy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1535pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4866BDY-T1-GE3
- si4866bdy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 12A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5020pF @ 6V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4842BDY-T1-GE3
- si4842bdy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3650pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4835DDY-T1-GE3
- si4835ddy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1960pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4825DY-T1-GE3
- si4825dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.1A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4800BDY-T1-GE3
- si4800bdy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4800,518
- si4800.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4688DY-T1-GE3
- si4688dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1580pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4686DY-T1-GE3
- si4686dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1220pF @ 15V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4668DY-T1-GE3
- si4668dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1654pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4660DY-T1-GE3
- si4660dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4634DY-T1-GE3
- si4634dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3150pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4630DY-T1-GE3
- si4630dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 161nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6670pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4459ADY-T1-GE3
- si4459ady.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4448DY-T1-E3
- si4448dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12350pF @ 6V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4436DY-T1-GE3
- si4436dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 30V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4430BDY-T1-GE3
- si4430bdy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4420DY,518
- si4420dy.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 12.5A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4420BDY-T1-GE3
- si4420bdy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК