Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI2304BDS-T1-GE3
- si2304bds.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 225pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2303CDS-T1-GE3
- si2303cds.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 155pF @ 15V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2302-TP
- si2302.tp
- Micro Commercial Co
- MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 237pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2301-TP
- si2301.tp
- Micro Commercial Co
- MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 6V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2301CDS-T1-GE3
- si2301cds.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 405pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1073X-T1-GE3
- si1073x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 980MA SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173 mOhm @ 980mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 980mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 265pF @ 15V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1071X-T1-GE3
- si1071x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 960MA SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167 mOhm @ 960mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.64nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 960mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 315pF @ 15V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1069X-T1-GE3
- si1069x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 940MA SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184 mOhm @ 940mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.86nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 940mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 308pF @ 10V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1067X-T1-GE3
- si1067x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.06A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.06A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 375pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1065X-T1-GE3
- si1065x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.18A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 480pF @ 6V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1054X-T1-GE3
- si1054x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 1.32A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.57nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 480pF @ 6V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1046X-T1-GE3
- si1046x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 606MA SC89-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 606mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.49nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 606mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 66pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1046R-T1-GE3
- si1046r.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 606MA SC75-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 606mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.49nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 606mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 66pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1032X-T1-GE3
- si1032x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1032R-T1-GE3
- si1032r.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1022R-T1-GE3
- si1022r.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 330mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 30pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1013X-T1-GE3
- si1013x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1013R-T1-GE3
- si1013r.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1012X-T1-GE3
- si1012x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1012R-T1-GE3
- si1012r.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК