Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI4413CDY-T1-GE3
- si4413cdy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4401BDY-T1-GE3
- si4401bdy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.7A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4398DY-T1-GE3
- si4398dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC Серия: WFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5620pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4386DY-T1-GE3
- si4386dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Pow
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4378DY-T1-GE3
- si4378dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8500pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4170DY-T1-GE3
- si4170dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4355pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4164DY-T1-GE3
- si4164dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3545pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4126DY-T1-GE3
- si4126dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4405pF @ 15V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4116DY-T1-GE3
- si4116dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1925pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4114DY-T1-GE3
- si4114dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3700pF @ 10V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4110DY-T1-GE3
- si4110dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2205pF @ 40V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4108DY-T1-GE3
- si4108dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 13.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2100pF @ 38V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2351DS-T1-GE3
- si2351ds.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2333CDS-T1-E3
- si2333cds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1225pF @ 6V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2323DS-T1-GE3
- si2323ds.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1020pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2316BDS-T1-GE3
- si2316bds.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 15V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2312BDS-T1-GE3
- si2312bds.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2307CDS-T1-GE3
- si2307cds.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 340pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2306BDS-T1-GE3
- si2306bds.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 305pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2305ADS-T1-GE3
- si2305ads.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 4V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК