Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SFU9220TU_F080
- sfu9220tu.f080
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SFU9220TU_AM002
- sfu9220tu.am002
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCH2830-TL-E
- sch2830.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH/DIODE SCHOTTKY SCH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 115pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCH2825-TL-E
- sch2825.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH/DIODE SCHOTTKY SCH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 800mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 88pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCH1301-TL-E
- sch1301.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET P-CH 12V 2.4A SCH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 6V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RZR040P01TL
- rzr040p01tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 1W · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: TSMT3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RZL035P01TR
- rzl035p01tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6 Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 1W · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: TUMT6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RZL025P01TR
- rzl025p01tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 6V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RZF030P01TL
- rzf030p01tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1860pF @ 6V · FET Polarity: P-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RUR040N02TL
- rur040n02tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 10V · FET Polarity: N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RUL035N02TR
- rul035n02tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RUE003N02TL
- rue003n02tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 4V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 25pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTR025N05TL
- rtr025n05tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3 Drain to Source Voltage (Vdss): 45V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 1W · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: TSMT3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTR020N05TL
- rtr020n05tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 45V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 10V · FET Polarity: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RTR011P02TL
- rtr011p02tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3 Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Power - Max: 1W · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: TSMT3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RT1A050ZPTR
- rt1a050zptr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 6V · FET Polarity: P-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RT1A040ZPTR
- rt1a040zptr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 4A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2350pF @ 6V · FET Polarity: P-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSY160P05TL
- rsy160p05tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 45V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2150pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS105N03TB
- rss105n03tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1130pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS095N05FU6TB
- rss095n05fu6tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 45V 9.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 45V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1830pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК