Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
RSS085N05FU6TB
- rss085n05fu6tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 45V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSS065N06FU6TB
- rss065n06fu6tb
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSQ020N03TR
- rsq020n03tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 110pF @ 10V · FET Polarity: N-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSL020P03TR
- rsl020p03tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 10V · FET Polarity: P-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSF010P03TL
- rsf010p03tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120pF @ 10V · FET Polarity: P-Ch
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RSD200N10TL
- rsd200n10tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RRS130N03TB1
- rrs130n03tb1
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RRS125N03TB1
- rrs125n03tb1
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF @ 10V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RRS110N03TB1
- rrs110n03tb1
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RRS100N03TB1
- rrs100n03tb1
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 8-SOIC (3.9mm Width)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RRS070N03TB1
- rrs070n03tb1
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 10V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RRR030P03TL
- rrr030p03tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: TSMT3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RRQ045P03TR
- rrq045p03tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6 Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: TSMT6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RRL025P03TR
- rrl025p03tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: TUMT6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK03C0DPA-00#J53
- rjk03c0dpa.00.j53
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 30V 70A W-PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: WPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK03B9DPA-00#J53
- rjk03b9dpa.00.j53
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 30V 30A W-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK03B8DPA-00#J53
- rjk03b8dpa.00.j53
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 30V 30A W-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1330pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK03B7DPA-00#J53
- rjk03b7dpa.00.j53
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 30V 30A W-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1670pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK0397DPA-00#J53
- rjk0397dpa.00.j53
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 30V 30A W-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1110pF @ 10V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
RJK0396DPA-00#J53
- rjk0396dpa.00.j53
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 30V 30A W-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1330pF @ 10V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК