Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

RJK0395DPA-00#J53

  • rjk0395dpa.00.j53
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 30A W-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1670pF @ 10V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0394DPA-00#J53

  • rjk0394dpa.00.j53
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2430pF @ 10V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0393DPA-00#J53

  • rjk0393dpa.00.j53
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 40A W-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3270pF @ 10V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0392DPA-00#J53

  • rjk0392dpa.00.j53
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: WPAK

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0391DPA-00#J53

  • rjk0391dpa.00.j53
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: WPAK

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0390DPA-00#J53

  • rjk0390dpa.00.j53
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 65A W-PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: WPAK

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0371DSP-00#J0

  • rjk0371dsp.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 590pF @ 10V · FET Polarity: N-C

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0369DSP-00#J0

  • rjk0369dsp.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 10V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0368DPA-00#J0

  • rjk0368dpa.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 20A WPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 730pF @ 10V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0366DSP-00#J0

  • rjk0366dsp.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1010pF @ 10V · FET Polari

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0366DPA-00#J0

  • rjk0366dpa.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 25A WPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1010pF @ 10V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0365DPA-00#J0

  • rjk0365dpa.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 30A WPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1180pF @ 10V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0364DPA-00#J0

  • rjk0364dpa.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 35A WPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 10V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0355DSP-00#J0

  • rjk0355dsp.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF @ 10V · FET Polarity: N

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0355DPA-00#J0

  • rjk0355dpa.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 30A WPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF @ 10V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0354DSP-00#J0

  • rjk0354dsp.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1740pF @ 10V · FET Polarity: N-

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0353DPA-00#J0

  • rjk0353dpa.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 35A WPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2180pF @ 10V · FET Polarity

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0352DSP-00#J0

  • rjk0352dsp.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2440pF @ 10V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0351DPA-00#J0

  • rjk0351dpa.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 40A WPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2560pF @ 10V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RJK0349DSP-00#J0

  • rjk0349dsp.00.j0
  • Renesas Technology America
  • MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3850pF @ 10V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь