Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
RDD050N20TL
- rdd050n20tl
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 292pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R5013ANXFU6
- r5013anxfu6
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QS5U36TR
- qs5u36tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nc @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QS5U34TR
- qs5u34tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 110pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN2R0-30PL,127
- psmn2r0.30pl.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6810pF @ 12V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN1R6-30PL,127
- psmn1r6.30pl.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 212nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12493pF @ 12V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN102-200Y,115
- psmn102.200y.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 21.5ALFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1568pF @ 30V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN050-80PS,127
- psmn050.80ps.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 80V 22A TO-220AB3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 633pF @ 12V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN012-80PS,127
- psmn012.80ps.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 80V 74A TO-220AB3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 74A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2782pF @ 12V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN008-75P,127
- psmn008.75p.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 122.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5260
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PSMN004-60P,127
- psmn004.60p.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 168nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PN3685
- pn3685
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH TO-92 FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHX8NQ11T,127
- phx8nq11t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 110V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 36
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHX20N06T,127
- phx20n06t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 12.9A SOT186A Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 320
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHX18NQ11T,127
- phx18nq11t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 110V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 635
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHU97NQ03LT,127
- phu97nq03lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1570pF @ 12V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHU77NQ03T,127
- phu77nq03t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP75NQ08T,127
- php75nq08t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1985pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP36N03LT,127
- php36n03lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 43.4A TO220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 690pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP225NQ04T,127
- php225nq04t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 40V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК