Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
PHB152NQ03LTA,118
- phb152nq03lta.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3140pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB11N06LT,118
- phb11n06lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 10.3A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH9930L,115
- ph9930l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 63A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1565pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH9030L,115
- ph9030l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 63A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1565pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH6030L,115
- ph6030l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 76.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2260pF @ 12V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH4830L,115
- ph4830l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 84A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2786pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH4330L,115
- ph4330l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 95.9A LFPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 95.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2786pF @ 12V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH4025L,115
- ph4025l.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 99A LFPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 99A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2601pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTFS4824NTWG
- nttfs4824ntwg
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2363pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTFS4823NTWG
- nttfs4823ntwg
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1013pF @ 12V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTTFS4821NTWG
- nttfs4821ntwg
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1755pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTS4172NT1G
- nts4172nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.38nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 381pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR3162PT3G
- ntr3162pt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR3162PT1G
- ntr3162pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTR3161NT1G
- ntr3161nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTP5426NG
- ntp5426ng
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTP5412NG
- ntp5412ng
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 60A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 0V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3220pF @ 25V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTP5411NG
- ntp5411ng
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4851NT3G
- ntmfs4851nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4849NT3G
- ntmfs4849nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2040pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК