Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
PHP21N06T,127
- php21n06t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP165NQ08T,127
- php165nq08t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 75V TO-220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8250
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP160NQ08T,127
- php160nq08t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5585pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP152NQ03LTA,127
- php152nq03lta.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3140pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP110NQ08T,127
- php110nq08t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 113.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4860pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHP110NQ08LT,127
- php110nq08lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 127.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6631
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHM30NQ10T,518
- phm30nq10t.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHM21NQ15T,518
- phm21nq15t.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 150V 22.2A SOT685-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHM15NQ20T,518
- phm15nq20t.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 17.5A SOT685-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHM12NQ20T,518
- phm12nq20t.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 14.4A SOT685-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHK4NQ20T,518
- phk4nq20t.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1230pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHK4NQ10T,518
- phk4nq10t.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 4A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD98N03LT,118
- phd98n03lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD77NQ03T,118
- phd77nq03t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF @ 12V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD37N06LT,118
- phd37n06lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 37A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD22NQ20T,118
- phd22nq20t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 21.1A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD14NQ20T,118
- phd14nq20t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 14A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD110NQ03LT,118
- phd110nq03lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB38N02LT,118
- phb38n02lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHB153NQ08LT,118
- phb153nq08lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8770pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК