Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
NTMFS4847NAT3G
- ntmfs4847nat3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2614pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4847NAT1G
- ntmfs4847nat1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2614pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4846NT3G
- ntmfs4846nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4845NT3G
- ntmfs4845nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3720pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4841NHT3G
- ntmfs4841nht3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2113pF @ 12V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4839NHT3G
- ntmfs4839nht3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2354pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4837NHT3G
- ntmfs4837nht3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3016pF @ 12V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4823NT3G
- ntmfs4823nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 795pF @ 15V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4821NT3G
- ntmfs4821nt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 12V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJS4149PTAG
- ntljs4149ptag
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJS3180PZTBG
- ntljs3180pztbg
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 16V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJS3180PZTAG
- ntljs3180pztag
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 16V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJS2103PTBG
- ntljs2103ptbg
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1157pF @ 6V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJS1102PTBG
- ntljs1102ptbg
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1585pF @ 4V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJS1102PTAG
- ntljs1102ptag
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1585pF @ 4V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJF3117PTAG
- ntljf3117ptag
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 531pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD3182FZTBG
- ntljd3182fztbg
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD3182FZTAG
- ntljd3182fztag
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 10V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTK3043NAT5G
- ntk3043nat5g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 10mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 210mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHS5441PT1G
- nths5441pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 710pF @ 5V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК