Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IXTQ240N055T

IXTQ240N055T

  • ixtq240n055t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 240A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ230N085T

IXTQ230N085T

  • ixtq230n085t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 187nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9900pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ220N075T

IXTQ220N075T

  • ixtq220n075t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7700pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ220N055T

IXTQ220N055T

  • ixtq220n055t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 158nc @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7200pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ200N10T

IXTQ200N10T

  • ixtq200n10t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9400p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ200N085T

IXTQ200N085T

  • ixtq200n085t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ200N075T

IXTQ200N075T

  • ixtq200n075t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ200N06P

IXTQ200N06P

  • ixtq200n06p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 400A, 15V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5400pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ182N055T

IXTQ182N055T

  • ixtq182n055t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 182A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4850pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ180N10T

IXTQ180N10T

  • ixtq180n10t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 151nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6900p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ180N085T

IXTQ180N085T

  • ixtq180n085t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7500pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ180N055T

IXTQ180N055T

  • ixtq180n055t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ170N10P

IXTQ170N10P

  • ixtq170n10p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 198nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ160N10T

IXTQ160N10T

  • ixtq160n10t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6600pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ160N085T

IXTQ160N085T

  • ixtq160n085t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 164nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6400pF @ 25V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ160N075T

IXTQ160N075T

  • ixtq160n075t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 75V 160A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4950pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ152N085T

IXTQ152N085T

  • ixtq152n085t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 85V 152A TO-3P Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 152A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ150N06P

IXTQ150N06P

  • ixtq150n06p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 118nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ140N10P

IXTQ140N10P

  • ixtq140n10p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IXTQ130N15T

IXTQ130N15T

  • ixtq130n15t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P Серия: TrenchHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 113nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9800

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь