Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXTA120P065T
- ixta120p065t
- IXYS
- MOSFET P-CH 65V 120A TO-263 Серия: TrenchP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 65V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13200p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA120N075T2
- ixta120n075t2
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-263 Серия: TrenchT2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4740pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA120N04T2
- ixta120n04t2
- IXYS
- MOSFET N-CH 40V 120A TO-263 Серия: TrenchT2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3240pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA110N055T7
- ixta110n055t7
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3080pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA110N055T2
- ixta110n055t2
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 Серия: TrenchT2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3060pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA110N055T
- ixta110n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3080pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA110N055P
- ixta110n055p
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 76nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2210p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA10P50P
- ixta10p50p
- IXYS
- MOSFET P-CH 500V 10A TO-263 Серия: PolarP™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2840pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA102N15T
- ixta102n15t
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 102A TO-263 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 102A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5220pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA100N04T2
- ixta100n04t2
- IXYS
- MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 Серия: TrenchT2™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2690pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA08N50D2
- ixta08n50d2
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 Ohm @ 400mA, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 800mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 312pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA08N120P
- ixta08n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 800mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA08N100P
- ixta08n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 800mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA08N100D2
- ixta08n100d2
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 Ohm @ 400mA, 0V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 800mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 325pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA06N120P
- ixta06n120p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 Серия: PolarVHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 600mA · Input Capacitance (Ciss)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA05N100
- ixta05n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 Ohm @ 375mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 750mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 260pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXT-1-1N100S1-TR
- ixt.1.1n100s1.tr
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 8-SOIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXT-1-1N100S1
- ixt.1.1n100s1
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: 8-SOIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKT70N60C5
- ixkt70n60c5
- IXYS
- MOSFET TO-268 Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 68A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: TO-268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXKR47N60C5
- ixkr47n60c5
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6800
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК