Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

IXFP5N100P

  • ixfp5n100p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFP4N100P

  • ixfp4n100p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 145

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFP3N80

  • ixfp3n80
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 685p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFP3N50PM

  • ixfp3n50pm
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 409pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFP3N120

  • ixfp3n120
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFP130N10T

  • ixfp130n10t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFP12N50PM

  • ixfp12n50pm
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1830pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFP10N80P

  • ixfp10n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFP102N15T

  • ixfp102n15t
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 150V 102A TO-220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 102A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5220

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFL82N60P

  • ixfl82n60p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 41A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFL80N50Q2

  • ixfl80n50q2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 105

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFL70N60Q2

  • ixfl70n60q2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFL60N80P

  • ixfl60n80p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 180

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFL60N60

  • ixfl60n60
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 100

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFL55N50

  • ixfl55n50
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-264AA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFL44N80

  • ixfl44n80
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFL44N60

  • ixfl44n60
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 89

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFL44N100P

  • ixfl44n100p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFL40N110P

  • ixfl40n110p
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264 Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V (1.1kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXFL39N90

  • ixfl39n90
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 375nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь