Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFP5N100P
- ixfp5n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFP4N100P
- ixfp4n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 145
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFP3N80
- ixfp3n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 685p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFP3N50PM
- ixfp3n50pm
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 409pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFP3N120
- ixfp3n120
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFP130N10T
- ixfp130n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5080
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFP12N50PM
- ixfp12n50pm
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1830pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFP10N80P
- ixfp10n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFP102N15T
- ixfp102n15t
- IXYS
- MOSFET N-CH 150V 102A TO-220 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 102A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFL82N60P
- ixfl82n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 41A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFL80N50Q2
- ixfl80n50q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 105
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFL70N60Q2
- ixfl70n60q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 265nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFL60N80P
- ixfl60n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 180
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFL60N60
- ixfl60n60
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFL55N50
- ixfl55n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole · Package / Case: TO-264AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFL44N80
- ixfl44n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFL44N60
- ixfl44n60
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 89
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFL44N100P
- ixfl44n100p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 305nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFL40N110P
- ixfl40n110p
- IXYS
- MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264 Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V (1.1kV) · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Through Hole
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFL39N90
- ixfl39n90
- IXYS
- MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 375nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК