Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDZ391P
- fdz391p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1065pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDZ371PZ
- fdz371pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDZ197PZ
- fdz197pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 157
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDV304P_NB8U003
- fdv304p.nb8u003
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 460mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 63pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDV303N_NB9U008
- fdv303n.nb9u008
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 680mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDV301N_NB9V005
- fdv301n.nb9v005
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9.5pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDU8796_F071
- fdu8796.f071
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 35A IPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2610pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDU8780_F071
- fdu8780.f071
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 35A IPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1440pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDU8770_F071
- fdu8770.f071
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 35A IPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3720pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDT55AN06LA0
- fdt55an06la0
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1130pF @ 25V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8882
- fds8882
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8842NZ
- fds8842nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 384
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8840NZ
- fds8840nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 18.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 144nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8638
- fds8638
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5680pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6688AS
- fds6688as
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 14.5A SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 14.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2510
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF7N50F
- fdpf7n50f
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 6A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF680N10T
- fdpf680n10t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF51N25YDTU
- fdpf51n25ydtu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3410pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF3860TYDTU
- fdpf3860tydtu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.2 mOhm @ 5.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF3860T
- fdpf3860t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.2 mOhm @ 5.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК