Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

FQD12N20LTM_F085

  • fqd12n20ltm.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQD10N20CTM_F080

  • fqd10n20ctm.f080
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQB9N50CFTM_WS

  • fqb9n50cftm.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQB7N60TM_WS

  • fqb7n60tm.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1430pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQB22P10TM_F085

  • fqb22p10tm.f085
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQB10N50CFTM_WS

  • fqb10n50cftm.ws
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 10A DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA9N90_F109

  • fqa9n90.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 4.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA9N90C_F109

  • fqa9n90c.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2730pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA90N15_F109

  • fqa90n15.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 285nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8700pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA8N80C_F109

  • fqa8n80c.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 4.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA7N90M_F109

  • fqa7n90m.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1880pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA7N90_F109

  • fqa7n90.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2280pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA7N80_F109

  • fqa7n80.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA6N80_F109

  • fqa6n80.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 3.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA5N90_F109

  • fqa5n90.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1550pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA46N15_F109

  • fqa46n15.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA36P15_F109

  • fqa36p15.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3320pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA28N15_F109

  • fqa28n15.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA13N50CF_F109

  • fqa13n50cf.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2055pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FQA10N80_F109

  • fqa10n80.f109
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 4.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь