Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDPF17N45T
- fdpf17n45t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 450V 17A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 450V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2110pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF15N65YDTU
- fdpf15n65ydtu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3095pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF10N50FT
- fdpf10n50ft
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1170pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP8870_F085
- fdp8870.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 156A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 156A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP8442_F085
- fdp8442.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 235nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP8441_F085
- fdp8441.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP8440
- fdp8440
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 450nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP5N50
- fdp5n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 640pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP3205
- fdp3205
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 59A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 100A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 773
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP26N40
- fdp26n40
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 26A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3185pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP19N40
- fdp19n40
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 19A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2115pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP18N20F
- fdp18n20f
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1180pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP15N40
- fdp15n40
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 15A TO-220 Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1750pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP150N10
- fdp150n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 57A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 49A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 57A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4760p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP120N10
- fdp120n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 74A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 74A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 74A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5605p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP090N10
- fdp090n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 116nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8225p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP047N10
- fdp047n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP047N08
- fdp047n08
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 164A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 164A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 941
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP040N06
- fdp040n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 120A TO220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 133nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8235pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP032N08
- fdp032n08
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 151
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК