Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
BUK7L11-34ARC,127
- buk7l11.34arc.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 34V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2506pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7L06-34ARC,127
- buk7l06.34arc.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 34V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4533pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7E07-55B,127
- buk7e07.55b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 55V I2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3760pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7624-55A,118
- buk7624.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1310pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7619-100B,118
- buk7619.100b.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 100V D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3400p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7616-55A,118
- buk7616.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 65.7A SOT404 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2245pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK76150-55A,118
- buk76150.55a.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 11A D2PAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 322pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7575-55,127
- buk7575.55.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 19.7A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7528-55,127
- buk7528.55.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 40A SOT 78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7528-100A,127
- buk7528.100a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 47A SOT78 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7523-75A,127
- buk7523.75a.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 75V 53A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2385pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK7511-55B,127
- buk7511.55b.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2604pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS244Z E3043
- bts244z.e3043
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2660pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BTS113A E3045A
- bts113a.e3045a
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB Серия: TEMPFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 25V · FET Polarity: N-Channel ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS83PL6327
- bss83pl6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 330mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 330mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 78pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS316N L6327
- bss316n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 94pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS315P L6327
- bss315p.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 282pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS308PE L6327
- bss308pe.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 15V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS215P L6327
- bss215p.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 346p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSS214N L6327
- bss214n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 143pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК