Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STW50NB20
- stw50nb20
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 200V 50A TO-247 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW4N150
- stw4n150
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V (1.5kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW45NM60
- stw45nm60
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 45A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 22.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 134nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW45NM50FD
- stw45nm50fd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 45A TO-247 Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW45NM50
- stw45nm50
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 45A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW42N65M5
- stw42n65m5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 33A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79 mOhm @ 16.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4650pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW43NM60N
- stw43nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW43NM60ND
- stw43nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 145nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW43NM50N
- stw43nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 18.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 37A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW38NB20
- stw38nb20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 38A TO-247 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW40NF20
- stw40nf20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 40A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW3N150
- stw3n150
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V (1.5kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW40N20
- stw40n20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 40A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW35N65M5
- stw35n65m5
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW34NM60ND
- stw34nm60nd
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW32N65M5
- stw32n65m5
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW30NM60ND
- stw30nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW34NB20
- stw34nb20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 34A TO-247 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW34NM60N
- stw34nm60n
- GLENAIR
- 0L MOSFET 600V 0.105 OHM TO247 - - (Terminal Finish: MATTE SN ANNEALED) - (Peak Solder Temp: 300 °C)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК