Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STW8NK80Z
- stw8nk80z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1320
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW8NB100
- stw8nb100
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 Ohm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW80NF55-08
- stw80nf55.08
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3850pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW80NF06
- stw80nf06
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3850pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW80NE06-10
- stw80ne06.10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 189nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW7NK90Z
- stw7nk90z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW7N95K3
- stw7n95k3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 950V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 103
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW75NF30
- stw75nf30
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 300V 60A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 164nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5930pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW75NF20
- stw75nf20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 75A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3260pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW6N120K3
- stw6n120k3
- GLENAIR
- 0L PMOS 600V 1.2OHM -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW70N10F4
- stw70n10f4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 65A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 65A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW60NE10
- stw60ne10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 60A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 30A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW75N20
- stw75n20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 75A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 37A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3260pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW5NK100Z
- stw5nk100z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW55NM60ND
- stw55nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW55NM60N
- stw55nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 51A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW52NK25Z
- stw52nk25z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 250V 52A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 26A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4850pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW54NK30Z
- stw54nk30z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 300V 54A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 27A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 221nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 54A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4960pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК