Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STW30NM60N
- stw30nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW30NM60D
- stw30nm60d
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2520pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW30NF20
- stw30nf20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 30A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1597pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW30N65M5
- stw30n65m5
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW29NK50ZD
- stw29nk50zd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 29A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 14.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 645
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW28NM50N
- stw28nm50n
- GLENAIR
- TO247/N-channel 500 V, 0.12 Ohm, 21 A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW29NK50Z
- stw29nk50z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 31A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 15.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 266nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 611
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW28NK60Z
- stw28nk60z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 27A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 264nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 635
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW30N20
- stw30n20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 30A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1597pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW26NM60N
- stw26nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW26NM60
- stw26nm60
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 102nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW26NM50
- stw26nm50
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 106nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW23NM60ND
- stw23nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-247 Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW24NM60N
- stw24nm60n
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW25NM60ND
- stw25nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW25NM50N
- stw25nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2565pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW24NM65N
- stw24nm65n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 19A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW25NM60N
- stw25nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW23NM50N
- stw23nm50n
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW23NM60N
- stw23nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 19A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК