Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STW22NM60N
- stw22nm60n
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW220NF75
- stw220nf75
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 430nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12500p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW21NM50N
- stw21nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 18A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1950pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW21NM60N
- stw21nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 17A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW20NM60FD
- stw20nm60fd
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1300pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW21N65M5
- stw21n65m5
- ST Microelectronics
- TO247-3/N-channel 650 V, 0.150 O, 17 A MDmesh V Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW21NM60ND
- stw21nm60nd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 17A TO-247 Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW20NM60
- stw20nm60
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW20NM50FD
- stw20nm50fd
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 Серия: FDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1380pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW20NM50
- stw20nm50
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 550V 20A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 550V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1480pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW20NK50Z
- stw20nk50z
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 500V 17A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 119nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW19NM50N
- stw19nm50n
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW20NK70Z
- stw20nk70z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 700V 20A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 700V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW20NB50
- stw20nb50
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW200NF03
- stw200nf03
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 120A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 10000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW18NM80
- stw18nm80
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2070pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW18NK80Z
- stw18nk80z
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6100p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW18NK60Z
- stw18nk60z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3540pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW16NK60Z
- stw16nk60z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2650pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК