Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STW12NK90Z
- stw12nk90z
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880 mOhm @ 5.5, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3500p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW120NF10
- stw120nf10
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 233nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 110A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW11NK100Z
- stw11nk100z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38 Ohm @ 4.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 162nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.3A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW11NK90Z
- stw11nk90z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW11NM80
- stw11nm80
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1630pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW11NB80
- stw11nb80
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW10NK60Z
- stw10nk60z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1370p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW10NK80Z
- stw10nk80z
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2180pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STV300NH02L
- stv300nh02l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 109nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 280A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7055
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STV240N75F3
- stv240n75f3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 120A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 240A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STV160NF02LT4
- stv160nf02lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 48
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STV160NF03LAT4
- stv160nf03lat4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5350
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STV160NF02LAT4
- stv160nf02lat4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 175nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 55
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STV160NF03LT4
- stv160nf03lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 47
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU16N65M5
- stu16n65m5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 12A IPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU150N3LLH6
- stu150n3llh6
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3700pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU12N65M5
- stu12n65m5
- ST Microelectronics
- IPAK/N-channel 650 V, 0.39 O, 8.5 A MDmesh V Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU95N2LH5
- stu95n2lh5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 25V 80A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1817pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU8NM50N
- stu8nm50n
- ST Microelectronics
- IPAK/N-channel 500 V, 0.73 O, 5 A MDesh II Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК