Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STT3PF30L
- stt3pf30l
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STT4PF20V
- stt4pf20v
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STT3PF20V
- stt3pf20v
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 315p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STT2PF60L
- stt2pf60l
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 313pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STSJ50NH3LL
- stsj50nh3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 965pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STSJ25NF3LL
- stsj25nf3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 25A 8-PWRSOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 16
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STSJ60NH3LL
- stsj60nh3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1810
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STSJ100NHS3LL
- stsj100nhs3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 20A PWRSOIC-8 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STSJ100NH3LL
- stsj100nh3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 25A PWRSOIC-8 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 445
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS9NH3LL
- sts9nh3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 857pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS9NF30L
- sts9nf30l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 730pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS9NF3LL
- sts9nf3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS7PF30L
- sts7pf30l
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS7NF60L
- sts7nf60l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS6PF30L
- sts6pf30l
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1670pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS6NF20V
- sts6nf20v
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 20V 6A 8SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS5PF30L
- sts5pf30l
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS5PF20V
- sts5pf20v
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 2.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 412pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS5NF60L
- sts5nf60l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS4NF100
- sts4nf100
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК