Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STU8N65M5
- stu8n65m5
- ST Microelectronics
- IPAK/N-channel 650 V, 0.56 O, 7 A MDmesh V Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU85N3LH5
- stu85n3lh5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU75N3LLH6
- stu75n3llh6
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU6N62K3
- stu6n62k3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28 Ohm @ 2.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 620V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 706
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU60N3LH5
- stu60n3lh5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 48A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU5N95K3
- stu5n95k3
- GLENAIR
- 0L NCHAN 950V 3.5 - - (Terminal Finish: MATTE SN ANNEALED) - (Peak Solder Temp: 260 or 300 °C)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU5N62K3
- stu5n62k3
- ST Microelectronics
- IPAK/N-channel 620 V, 1.28 O, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU5N52K3
- stu5n52k3
- ST Microelectronics
- IPAK/N-channel 525 V, 1.2 O, 4.4 A SuperMESH3 Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU3N62K3
- stu3n62k3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 620V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 385pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU3N45K3
- stu3n45k3
- ST Microelectronics
- IPAK/N-channel 450 V, 3.2 O, 1.8 A,SuperMESH3 Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU3LN62K3
- stu3ln62k3
- ST Microelectronics
- IPAK/N-channel 620 V, 2.5 O , 2.5 A SuperMESH3 Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU2NK100Z
- stu2nk100z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.85A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU2N62K3
- stu2n62k3
- ST Microelectronics
- IPAK/N-channel 620 V, 3 O, 2.2 A,SuperMESH3 Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU13NM60N
- stu13nm60n
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STU10NM60N
- stu10nm60n
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS2DPFS20V
- sts2dpfs20v
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 315pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STT5PF20V
- stt5pf20v
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 2.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 412pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК