Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STS4DPFS30L
- sts4dpfs30l
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS4DNFS30
- sts4dnfs30
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS4DNFS30L
- sts4dnfs30l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 330pF @ 25V · F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS25NH3LL
- sts25nh3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4450pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS25NH3LL-E
- sts25nh3ll.e
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4450pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS1NK60Z
- sts1nk60z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 250MA 8-SOIC Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 400mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 250mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS1HNK60
- sts1hnk60
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS15N4LLF3
- sts15n4llf3
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 40V 15A SOIC-8 Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2530pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS17NH3LL
- sts17nh3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1810pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS17NF3LL
- sts17nf3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2160pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS12NH3LL
- sts12nh3ll
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 965pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS10PF30L
- sts10pf30l
- STMicroelectronics
- MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS11NF30L
- sts11nf30l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1440pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STS12NF30L
- sts12nf30l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STQ3N45K3-AP
- stq3n45k3.ap
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STQ2N62K3-AP
- stq2n62k3.ap
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STQ1NK60ZR-AP
- stq1nk60zr.ap
- ST MICRO
- POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STQ1NK80ZR-AP
- stq1nk80zr.ap
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92 Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 160
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STQ1HNK60R-AP
- stq1hnk60r.ap
- ST MICRO
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК