Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STD2NK90Z-1
- std2nk90z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 485pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD30NE06L
- std30ne06l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 30A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2370pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD2NM60T4
- std2nm60t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 160pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD2NK70ZT4
- std2nk70zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 800mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 700V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD2NK60Z-1
- std2nk60z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 700mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD2NK100Z
- std2nk100z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.85A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD2HNK60Z
- std2hnk60z
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD25NF10T4
- std25nf10t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 25A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1550pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD25NF10LT4
- std25nf10lt4
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 100V 25A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1710pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD22NM20NT4
- std22nm20nt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 22A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD20NF20
- std20nf20
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 18A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD20NF06T4
- std20nf06t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 690pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD20NF10T4
- std20nf10t4
- ST MICRO
- N-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD20NF06LT4
- std20nf06lt4
- STMicroelectronics, ST
- MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD20N20T4
- std20n20t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 200V 18A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD1NK80ZT4
- std1nk80zt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 1A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 160pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD1NK80Z-1
- std1nk80z.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 800V 1A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 160pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD1NK60-1
- std1nk60.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 1A IPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 156pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD1NK60T4
- std1nk60t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Серия: SuperMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 156pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК