Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
STD1HNC60T4
- std1hnc60t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Серия: PowerMESH™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 228pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD18NF03L
- std18nf03l
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 17A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 320pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD17NF03LT4
- std17nf03lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 17A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 320pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD17NF03L-1
- std17nf03l.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 17A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 320pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD16NF06LT4
- std16nf06lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 370pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD16NF25
- std16nf25
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 250V 13A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD16NF06T4
- std16nf06t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 16A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.1nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 15V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD16N65M5
- std16n65m5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 12A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD15NF10T4
- std15nf10t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 100V 23A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD155N3H6
- std155n3h6
- ST MICRO
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD155N3LH6
- std155n3lh6
- ST Microelectronics
- DPAK/N-channel 30 V, 2.4 mO , 80 A,STripFET VI DeepGATE Power MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD150NH02LT4
- std150nh02lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 150A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4450pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD150N3LLH6
- std150n3llh6
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 30V 80A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3700pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD150NH02L-1
- std150nh02l.1
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 24V 150A IPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 24V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 150A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4450pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD13NM60N
- std13nm60n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 11A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD12NF06LT4
- std12nf06lt4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD12NF06T4
- std12nf06t4
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 315pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD12NM50N
- std12nm50n
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 500V 11A DPAK Серия: MDmesh™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК