Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SPD03N60S5
- spd03n60s5
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-252 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD02N80C3
- spd02n80c3
- Infineon
- TO252-3/CoolMOS Transistor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD03N50C3
- spd03n50c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD01N60C3
- spd01n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 800mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD02N60C3
- spd02n60c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPD02N50C3
- spd02n50c3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 560V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 190pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB80P06P
- spb80p06p
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 64A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 173nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5033pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB80N10L G
- spb80n10l.g
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4540pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB80N08S2L-07
- spb80n08s2l.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 67A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 233nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6820pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB80N06S2L-H5
- spb80n06s2l.h5
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6640pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB80P06P G
- spb80p06p.g
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH 60V 80A TO-263 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 64A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 173nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5033pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB80N10L
- spb80n10l
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4540pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB80N08S2-07
- spb80n08s2.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 66A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6130pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB80N06S2L-11
- spb80n06s2l.11
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2650pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB80N06S2L-07
- spb80n06s2l.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4210pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB80N06S2L-09
- spb80n06s2l.09
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 52A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3480pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB80N06S2L-05
- spb80n06s2l.05
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 80A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7530pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB80N06S2L-06
- spb80n06s2l.06
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 69A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5050pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SPB80N06S2-07
- spb80n06s2.07
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 68A, 10v · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4540pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК