Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SN7002W L6433
- sn7002w.l6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 230mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SN7002W L6327
- sn7002w.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 230mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SN7002W E6433
- sn7002w.e6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 230mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SN7002W E6327
- sn7002w.e6327
- Infineon
- TRANSISTOR SS N-CH 60V SOT-323
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SN7002N L6327
- sn7002n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SN7002N E6327
- sn7002n.e6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SN7002N L6433
- sn7002n.l6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SN7002N E6433
- sn7002n.e6433
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SMP3003-DL-E
- smp3003.dl.e
- ON Semiconductor
- P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR850DP-T1-GE3
- sir850dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 30A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1120pF @ 15V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR464DP-T1-GE3
- sir464dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 50A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3545pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIR462DP-T1-GE3
- sir462dp.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 30A PPAK 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1155pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHP18N50C-E3
- sihp18n50c.e3
- VISHAY
- TO-220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHG20N50C-E3
- sihg20n50c.e3
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIE832DF-T1-E3
- sie832df.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 380
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIE854DF-T1-E3
- sie854df.t1.e3
- VISHAY
- N-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIE830DF-T1-E3
- sie830df.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK Серия: WFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIE820DF-T1-E3
- sie820df.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 18A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 143nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIE822DF-T1-E3
- sie822df.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIE818DF-T1-E3
- sie818df.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 320
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК