Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SIE812DF-T1-E3
- sie812df.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 83
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIE810DF-T1-E3
- sie810df.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 130
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIE802DF-T1-E3
- sie802df.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 23.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIE806DF-T1-E3
- sie806df.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 250nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 13
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIE808DF-T1-E3
- sie808df.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIE800DF-T1-E3
- sie800df.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 160
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB414DK-T1-GE3
- sib414dk.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 1.2V POWERPAK SC75-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 7.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.03nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 732pF @ 4V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB415DK-T1-GE3
- sib415dk.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 4.17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.05nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 295pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB411DK-T1-E3
- sib411dk.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @ 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIB412DK-T1-E3
- sib412dk.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.16nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 535pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA811DJ-T1-E3
- sia811dj.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 355pF @ 10V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA810DJ-T1-E3
- sia810dj.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA443DJ-T1-E3
- sia443dj.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 10V · FET Polarity: P-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA450DJ-T1-E3
- sia450dj.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 240V 10A SC70-6 Drain to Source Voltage (Vdss): 240V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Standard · Mounting Type: Surface Mount · Package / Case: PowerPAK SC-70-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA414DJ-T1-GE3
- sia414dj.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 4V · FET Polarity: N-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA411DJ-T1-E3
- sia411dj.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 8V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9435DY
- si9435dy
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 690p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9435BDY-T1-E3
- si9435bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9433BDY-T1-E3
- si9433bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI9434BDY-T1-E3
- si9434bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК