Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI4836DY-T1-E3
- si4836dy.t1.e3
- VISHAY
- N-Kanal POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4835BDY-T1-E3
- si4835bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 37nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.4A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4833ADY-T1-E3
- si4833ady.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 15V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4831DY-T1-E3
- si4831dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Diode (Isolated) · Power -
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4825DY-T1-E3
- si4825dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.1A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4812BDY-T1-E3
- si4812bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4800BDY-T1-E3
- si4800bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4686DY-T1-E3
- si4686dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4682DY-T1-E3
- si4682dy.t1.e3
- VISHAY
- SOP/8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4642DY-T1-E3
- si4642dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5540pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4634DY-T1-E3
- si4634dy.t1.e3
- VISHAY
- N-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4630DY-T1-E3
- si4630dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 161nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6670pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4620DY-T1-E3
- si4620dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1040pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4632DY-T1-E3
- si4632dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC Серия: WFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 161nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11175pF @ 15
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4621DY-T1-E3
- si4621dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 10V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4490DY-T1-E3
- si4490dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.85A · FET Polarity: N-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4488DY-T1-E3
- si4488dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4486EY-T1-E3
- si4486ey.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.9A,10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4484EY-T1-E3
- si4484ey.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4483EDY-T1-E3
- si4483edy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power - Max: 1.5W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК