Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI4480DY-T1-E3
- si4480dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gate · Power
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4472DY-T1-E3
- si4472dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC Серия: WFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1735pF @ 50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4470EY-T1-E3
- si4470ey.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4466DY-T1-E3
- si4466dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4465ADY-T1-E3
- si4465ady.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nc @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.7A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4464DY-T1-E3
- si4464dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · FET Polarity: N-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4463BDY-T1-E3
- si4463bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 13.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.8A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4462DY-T1-E3
- si4462dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.15A · FET Polarity: N-Channel · FET Feat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4456DY-T1-E3
- si4456dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 122nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5670pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4453DY-T1-E3
- si4453dy.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4451DY-T1-E3
- si4451dy.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4447DY-T1-E3
- si4447dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 805pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4446DY-T1-E3
- si4446dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4442DY-T1-E3
- si4442dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4436DY-T1-E3
- si4436dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4435DYTRPBF
- si4435dytrpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2320pF @ 15V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4435DYTR
- si4435dytr
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2320pF @ 15V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4435DYPBF
- si4435dypbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2320pF @ 15V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4435DY
- si4435dy
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2320pF @ 15V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4435DDY-T1-GE3
- si4435ddy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК