Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI4435BDY-T1-E3
- si4435bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4434DY-T1-E3
- si4434dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4431CDY-T1-GE3
- si4431cdy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1006pF @ 15V · FET Polarity: P-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4431BDY-T1-E3
- si4431bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.7A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4430BDY-T1-E3
- si4430bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4426DY-T1-E3
- si4426dy.t1.e3
- VISHAY
- N-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4423DY-T1-E3
- si4423dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 175nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4427BDY-T1-E3
- si4427bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.7A · FET Polarity: P-Channel · FET Feat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4421DY-T1-E3
- si4421dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75 mOhm @ 14A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 125nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4425BDY-T1-E3
- si4425bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4420DYTRPBF
- si4420dytrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2240pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4420DYTR
- si4420dytr
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2240pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4420DYPBF
- si4420dypbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2240pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4418DY-T1-E3
- si4418dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4420DY
- si4420dy
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2240pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4420BDY-T1-E3
- si4420bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · FET Polarity: N-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4412ADY-T1-E3
- si4412ady.t1.e3
- VISHAY
- N-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4413ADY-T1-E3
- si4413ady.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4411DY-T1-E3
- si4411dy.t1.e3
- VISHAY
- P-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4410DYTRPBF
- si4410dytrpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1585pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК