Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI4410DY,518
- si4410dy.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 10A SOT96-1 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4410DY
- si4410dy
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1350p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4410DYPBF
- si4410dypbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1585pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4410BDY-T1-E3
- si4410bdy.t1.e3
- VISHAY
- N-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4408DY-T1-E3
- si4408dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4403BDY-T1-E3
- si4403bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4404DY-T1-E3
- si4404dy.t1.e3
- VISHAY
- N-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4401DY-T1-E3
- si4401dy.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4401BDY-T1-E3
- si4401bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.7A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4398DY-T1-E3
- si4398dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC Серия: WFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5620pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4396DY-T1-E3
- si4396dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1675pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4378DY-T1-E3
- si4378dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4386DY-T1-E3
- si4386dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4390DY-T1-E3
- si4390dy.t1.e3
- VISHAY
- POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4384DY-T1-E3
- si4384dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4368DY-T1-E3
- si4368dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8340pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4362BDY-T1-E3
- si4362bdy.t1.e3
- GLENAIR
- SOP-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4348DY-T1-E3
- si4348dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4346DY-T1-E3
- si4346dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.9A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4336DY-T1-E3
- si4336dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК