Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI4322DY-T1-E3
- si4322dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1640pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4324DY-T1-E3
- si4324dy.t1.e3
- VISHAY
- N-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4122DY-T1-GE3
- si4122dy.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 95nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4200pF @ 20V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4100DY-T1-E3
- si4100dy.t1.e3
- VISHAY
- N-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3867DV-T1-E3
- si3867dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3853DV-T1-E3
- si3853dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Diode (Isolated)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3851DV-T1-E3
- si3851dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Diode (Isolated) ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3812DV-T1-E3
- si3812dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Diode (Isolated) · Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3495DV-T1-E3
- si3495dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3493DV-T1-E3
- si3493dv.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3499DV-T1-E3
- si3499dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3493BDV-T1-E3
- si3493bdv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5 mOhm @ 7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1805pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3483DV-T1-E3
- si3483dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.7A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3481DV-T1-E3
- si3481dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3473DV-T1-E3
- si3473dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.9A · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3475DV-T1-E3
- si3475dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 200V 950MA 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.61 Ohm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 950mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3473CDV-T1-E3
- si3473cdv.t1.e3
- VISHAY
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3469DV-T1-E3
- si3469dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3467DV-T1-E3
- si3467dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3465DV-T1-E3
- si3465dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК