Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI3442BDV-T1-E3
- si3442bdv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 295pF @ 10V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3441BDV-T1-E3
- si3441bdv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.45A · FET Polarity: P-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3440DV-T1-E3
- si3440dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · FET Polarity: N-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3437DV-T1-E3
- si3437dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3434DV-T1-E3
- si3434dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · FET Polarity: N-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3433BDV-T1-E3
- si3433bdv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3430DV-T1-E3
- si3430dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3424DV-T1-E3
- si3424dv.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2351DS-T1-E3
- si2351ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2333DS-T1-E3
- si2333ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 110
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2341DS-T1-E3
- si2341ds.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2343DS-T1-E3
- si2343ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2337DS-T1-E3
- si2337ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2328DS-T1-E3
- si2328ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.15A · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2327DS-T1-E3
- si2327ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 380mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2325DS-T1-E3
- si2325ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 530mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2321DS-T1-E3
- si2321ds.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2325DS-T1-GE3
- si2325ds.t1.ge3
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2319DS-T1-E3
- si2319ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2323DS-T1-E3
- si2323ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1020pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК