Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI2318DS-T1-E3
- si2318ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2316DS-T1-E3
- si2316ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 215pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2314EDS-T1-E3
- si2314eds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.77A · FET Polarity: N-Channel · FET Featu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2315BDS-T1-E3
- si2315bds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.85A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 715pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2311DS-T1-E3
- si2311ds.t1.e3
- VISHAY
- P-Kanal Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2312BDS-T1-E3
- si2312bds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2309DS-T1-E3
- si2309ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 1.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.25A · FET Polarity: P-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2308DS-T1-E3
- si2308ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2306BDS-T1-E3
- si2306bds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 305
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2308BDS-T1-GE3
- si2308bds.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 190pF @ 30V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2305DS-T1-E3
- si2305ds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1245p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2304DS,215
- si2304ds.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 195p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2304BDS-T1-E3
- si2304bds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 225pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2307BDS-T1-E3
- si2307bds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 380pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2303BDS-T1-E3
- si2303bds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.49A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 180pF @ 15V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2303BDS-T1
- si2303bds.t1
- VISHAY
- TO-236
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2302CDS-T1-GE3
- si2302cds.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level Gat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2302DS,215
- si2302ds.215
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2302ADS-T1
- si2302ads.t1
- VISHAY
- SOT-23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2302ADS-T1-GE3
- si2302ads.t1.ge3
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК