Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI2302ADS-T1-E3
- si2302ads.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2301BDS-T1-E3
- si2301bds.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 375pF @ 6V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1499DH-T1-E3
- si1499dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1473DH-T1-E3
- si1473dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 365pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1488DH-T1-E3
- si1488dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 4.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.01nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 530p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1472DH-T1-E3
- si1472dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 380pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1471DH-T1-E3
- si1471dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 445pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1470DH-T1-E3
- si1470dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1469DH-T1-E3
- si1469dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1450DH-T1-E3
- si1450dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 8V 6.04A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.05nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.04A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 535pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1417EDH-T1-E3
- si1417edh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1426DH-T1-E3
- si1426dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1433DH-T1-E3
- si1433dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · FET Polarity: P-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1419DH-T1-E3
- si1419dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 400mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · FET Polarity: P-Channel · FET Feat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1413EDH-T1-E3
- si1413edh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1411DH-T1-E3
- si1411dh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 420mA · FET Polarity: P-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1410EDH-T1-E3
- si1410edh.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.9A · FET Polarity: N-Channel · FET Feature
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1405DL-T1-E3
- si1405dl.t1.e3
- VISHAY
- P-KANAL POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1406DH-T1-E3
- si1406dh.t1.e3
- VISHAY
- N-Kanal Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1404BDH-T1-E3
- si1404bdh.t1.e3
- VISHAY
- N-Kanal Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК