Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI1403BDL-T1-E3
- si1403bdl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · FET Polarity: P-Channel · FET Feat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1400DL-T1-E3
- si1400dl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · FET Polarity: N-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1330EDL-T1-E3
- si1330edl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 250mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 240mA · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1307EDL-T1-E3
- si1307edl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 850mA · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1305EDL-T1-E3
- si1305edl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 860mA · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1305DL-T1-E3
- si1305dl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 860mA · FET Polarity: P-Channel · FET Featur
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1304BDL-T1-E3
- si1304bdl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 900MA SOT323-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 900mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 900mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1303EDL-T1-E3
- si1303edl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 670mA · FET Polarity: P-Channel · FET Feature: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1302DL-T1-E3
- si1302dl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 600mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 600mA · FET Polarity: N-Channel · FET F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1303DL-T1-E3
- si1303dl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 670mA · FET Polarity: P-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1300BDL-T1-E3
- si1300bdl.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 250mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.84nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 400mA · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1067X-T1-E3
- si1067x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.06A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.06A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 375pF @ 10V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1058X-T1-E3
- si1058x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91 mOhm @ 1.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 380p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1072X-T1-E3
- si1072x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1070X-T1-E3
- si1070x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 385p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1065X-T1-E3
- si1065x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.18A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.8nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1071X-T1-E3
- si1071x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 960MA SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167 mOhm @ 960mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.64nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 960mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1056X-T1-E3
- si1056x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89 mOhm @ 1.32A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1051X-T1-GE3
- si1051x.t1.ge3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.45nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560pF @ 4V · FET Polarity
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1050X-T1-GE3
- si1050x.t1.ge3
- VISHAY
- N-Channel POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК