Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
SI1050X-T1-E3
- si1050x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 1.34A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 58
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1039X-T1-E3
- si1039x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 870MA SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 870mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 870mA · FET Polarity: P-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1032X-T1-E3
- si1032x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 200mA · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1032R-T1-E3
- si1032r.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140mA · FET Polarity: N-Channel · FET Fea
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1031X-T1-E3
- si1031x.t1.e3
- VISHAY
- P-Kanal Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1031R-T1-GE3
- si1031r.t1.ge3
- GLENAIR
- 1-2 days to Mondo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1031R-T1-E3
- si1031r.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 140MA SC-75A Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 140mA · FET Polarity: P-Channel · FET Feat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1022R-T1-E3
- si1022r.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 330mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1021R-T1-E3
- si1021r.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 15V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 190mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 23pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1013X-T1-E3
- si1013x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · FET Polarity: P-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1013R-T1-E3
- si1013r.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 350mA · FET Polarity: P-Channel · FET Fe
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1012X-T1-E3
- si1012x.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Level
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI1012R-T1-E3
- si1012r.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 500mA · FET Polarity: N-Channel · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SFW9530TM
- sfw9530tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 100V 10.5A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1035pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SFW9640TM
- sfw9640tm
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 59nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1585pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SFT1440-E
- sft1440.e
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SFT1440-TL-E
- sft1440.tl.e
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SFT1431-TL-E
- sft1431.tl.e
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SFT1423-TL-E
- sft1423.tl.e
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SFT1350-TL-H
- sft1350.tl.h
- ON Semiconductor
- SANYO B/S 9WK E6LEAD DA P-Channel Silicon MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК