Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
PMF370XN,115
- pmf370xn.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 870MA SOT-323 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.65nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 870mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMF400UN,115
- pmf400un.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 830MA SOT-323 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 830mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMF3800SN,115
- pmf3800sn.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-323 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.85nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 260mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMF290XN,115
- pmf290xn.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 1A SOT-323 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 34p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMF280UN,115
- pmf280un.115
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT-323 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.02A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBF170,235
- pmbf170.235
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH TRENCH 60V SOT-23 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 300mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 40pF @ 10V · FET Polarity: N-Channel · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHX34NQ11T,127
- phx34nq11t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 110V 24.8A SOT186A Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 110V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 17
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHX9NQ20T,127
- phx9nq20t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220F Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 959
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHX45NQ11T,127
- phx45nq11t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 110V 30.4A SOT186A Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 110V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 26
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHX27NQ11T,127
- phx27nq11t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 110V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHX23NQ10T,127
- phx23nq10t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 13A TO220F Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1187pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHX23NQ11T,127
- phx23nq11t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 110V 16A SOT186A Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 110V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHX18NQ20T,127
- phx18nq20t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 8.2A TO220F Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHX14NQ20T,127
- phx14nq20t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 7.6A TO220F Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHW80NQ10T,127
- phw80nq10t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 80A SOT429 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 109nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4720pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHU78NQ03LT,127
- phu78nq03lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A SOT533 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 970pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHU66NQ03LT,127
- phu66nq03lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 66A SPT533 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHU11NQ10T,127
- phu11nq10t.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHU108NQ03LT,127
- phu108nq03lt.127
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A SOT533 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1375pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК