Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
PHK12NQ03LT,518
- phk12nq03lt.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 11.8A SOT96 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 133
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHK04P02T,518
- phk04p02t.518
- NXP Semiconductors
- MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 16V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 528pF @ 12.8V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD9NQ20T,118
- phd9nq20t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 200V 8.7A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 959
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD97NQ03LT,118
- phd97nq03lt.118
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD96NQ03LT,118
- phd96nq03lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD82NQ03LT,118
- phd82nq03lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1620pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD78NQ03LT,118
- phd78nq03lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 75A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 970pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD71NQ03LT,118
- phd71nq03lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 75A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1220pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD66NQ03LT,118
- phd66nq03lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 66A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 66A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 860pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD63NQ03LT,118
- phd63nq03lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 68.9A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 68.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 920pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD55N03LTA,118
- phd55n03lta.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 55A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 950pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD45N03LTA,118
- phd45n03lta.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 25V 40A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD38N02LT,118
- phd38n02lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD36N03LT,118
- phd36n03lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 690pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD34NQ10T,118
- phd34nq10t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 35A DPAK Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1704pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD3055E,118
- phd3055e.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 60V 10.3A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD23NQ10T,118
- phd23nq10t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 100V 23A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1187pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD21N06LT,118
- phd21n06lt.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 19A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 650pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD18NQ10T,118
- phd18nq10t.118
- NXP Semiconductors
- N KANAL TRENCHFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PHD20N06T,118
- phd20n06t.118
- NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 55V 18A SOT428 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 422pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК