Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFX15N100
- ixfx15n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 220nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFX120N20
- ixfx120n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 91
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV52N30P
- ixfv52n30p
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220 Серия: PolarHT™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3490p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV36N50PS
- ixfv36n50ps
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV36N50P
- ixfv36n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV30N60PS
- ixfv30n60ps
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV30N60P
- ixfv30n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV30N50PS
- ixfv30n50ps
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV30N50P
- ixfv30n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4150p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV26N60PS
- ixfv26n60ps
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV26N60P
- ixfv26n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4150p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV26N50PS
- ixfv26n50ps
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV26N50P
- ixfv26n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV22N60P
- ixfv22n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV22N50PS
- ixfv22n50ps
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV18N60PS
- ixfv18n60ps
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFV22N50P
- ixfv22n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2630p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT58N20Q
- ixft58n20q
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT44N50P
- ixft44n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 D3 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 544
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT40N30Q
- ixft40n30q
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 40A TO-268 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК