Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFR12N100
- ixfr12n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFR180N10
- ixfr180n10
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 90A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 400nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 165A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 94
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFR120N20
- ixfr120n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 60A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 105A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFP16N50P
- ixfp16n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFP12N50P
- ixfp12n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 Серия: Polar™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1830pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFP14N60P
- ixfp14n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2500pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFP10N60P
- ixfp10n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1610pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK90N20Q
- ixfk90n20q
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK90N20
- ixfk90n20
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 380nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK80N50P
- ixfk80n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 80A TO-264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 197nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12700p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK73N30
- ixfk73n30
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 360nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK64N60P
- ixfk64n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 64A TO-264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12000p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK64N50P
- ixfk64n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 64A TO-264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 64A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8700pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK48N60P
- ixfk48n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 48A TO-264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8860p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK55N50
- ixfk55n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 940
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK48N50
- ixfk48n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 84
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK27N80
- ixfk27n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 400nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 97
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK44N60
- ixfk44n60
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 89
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK36N60P
- ixfk36n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 36A TO-264 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 102nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5800p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFK44N50
- ixfk44n50
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 44A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 84
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК