Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IXFT36N60P
- ixft36n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 102nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 58
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT36N50P
- ixft36n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT32N50Q
- ixft32n50q
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4925
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT30N50P
- ixft30n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 415
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT30N60P
- ixft30n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT26N60P
- ixft26n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 26A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 415
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFT13N100
- ixft13n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR80N50P
- ixfr80n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 40A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 197nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1270
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR64N50P
- ixfr64n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8700
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR64N60P
- ixfr64n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 32A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 36A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR48N60P
- ixfr48n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 886
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR44N80P
- ixfr44n80p
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 200nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 120
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR44N60
- ixfr44n60
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 330nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 38A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 89
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR36N60P
- ixfr36n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 102nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 580
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR44N50P
- ixfr44n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5440
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR40N50Q2
- ixfr40n50q2
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 42
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR36N50P
- ixfr36n50p
- IXYS
- MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 93nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5500
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR34N80
- ixfr34n80
- IXYS
- MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 17A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 270nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 75
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR30N60P
- ixfr30n60p
- IXYS
- MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247 Серия: PolarHV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3820
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFR24N100
- ixfr24n100
- IXYS
- MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 267nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК