Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для IRFSL41N15D

IRFSL41N15D

  • irfsl41n15d
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 41A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2520pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL3607PBF

IRFSL3607PBF

  • irfsl3607pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 80A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 84nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3070pF @ 50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL3806PBF

IRFSL3806PBF

  • irfsl3806pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 43A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 43A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 5

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL4010PBF

IRFSL4010PBF

  • irfsl4010pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 106A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 215nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9575p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL4115PBF

IRFSL4115PBF

  • irfsl4115pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 150V 195A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5270p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL3507

IRFSL3507

  • irfsl3507
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 97A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 58A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 97A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3540pF @ 5

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL33N15D

IRFSL33N15D

  • irfsl33n15d
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 150V 33A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 33A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2020pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL3307ZPBF

IRFSL3307ZPBF

  • irfsl3307zpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 120A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4750pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL3307

IRFSL3307

  • irfsl3307
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 130A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 130A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5150pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL3207

IRFSL3207

  • irfsl3207
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 180A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 180A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7600pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL3207ZPBF

IRFSL3207ZPBF

  • irfsl3207zpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 120A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6920pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL3306PBF

IRFSL3306PBF

  • irfsl3306pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 120A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4520pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL3206PBF

IRFSL3206PBF

  • irfsl3206pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 120A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6540pF @ 5

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL31N20DTRR

IRFSL31N20DTRR

  • irfsl31n20dtrr
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2370pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL31N20DTRL

IRFSL31N20DTRL

  • irfsl31n20dtrl
  • Vishay/Siliconix
  • MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2370pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL31N20D

IRFSL31N20D

  • irfsl31n20d
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2370pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL3006PBF

IRFSL3006PBF

  • irfsl3006pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 60V 195A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 170A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8970pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL3107PBF

IRFSL3107PBF

  • irfsl3107pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 75V 195A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 140A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9370pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL3004PBF

IRFSL3004PBF

  • irfsl3004pbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 195A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9200pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для IRFSL23N15DPBF

IRFSL23N15DPBF

  • irfsl23n15dpbf
  • International Rectifier
  • MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь