Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
IRFSL23N20D
- irfsl23n20d
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 86nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1960pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL23N15D
- irfsl23n15d
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL17N20DPBF
- irfsl17n20dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL17N20D
- irfsl17n20d
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL11N50APBF
- irfsl11n50apbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1426pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFSL11N50A
- irfsl11n50a
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 11A TO-262 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1426pF @ 25V · FET Polari
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS9N60ATRRPBF
- irfs9n60atrrpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS9N60ATRR
- irfs9n60atrr
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS9N60ATRLPBF
- irfs9n60atrlpbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS9N60ATRL
- irfs9n60atrl
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS9N60A
- irfs9n60a
- Vishay/Siliconix, Vishay
- MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS9N60APBF
- irfs9n60apbf
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS750A
- irfs750a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 8.4A TO-220F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 4.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 131nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2780pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS644B_FP001
- irfs644b.fp001
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 25V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS654B_FP001
- irfs654b.fp001
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 21A TO-220F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 123nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3400pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS634B_FP001
- irfs634b.fp001
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 25V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS614B_FP001
- irfs614b.fp001
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 275pF @ 25V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS59N10DTRLP
- irfs59n10dtrlp
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 35.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 59A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2450pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS59N10DPBF
- irfs59n10dpbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 35.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 59A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2450pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRFS5620PBF
- irfs5620pbf
- International Rectifier
- MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1710pF @ 50V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК