Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FQU7N10LTU
- fqu7n10ltu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 290pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU6N40CTU
- fqu6n40ctu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU5P20TU
- fqu5p20tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.85A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU6N25TU
- fqu6n25tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 300pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU5N50TU
- fqu5n50tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 3.5A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 610pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU4P25TU
- fqu4p25tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU5N50CTU
- fqu5n50ctu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 4A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V · FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU5N60CTU
- fqu5n60ctu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU4N25TU
- fqu4n25tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 3A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU4N50TU
- fqu4n50tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU5N40TU
- fqu5n40tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 1.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU4N20TU
- fqu4n20tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 3A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 220pf @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU3P20TU
- fqu3p20tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU3P50TU
- fqu3p50tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU3N60CTU
- fqu3n60ctu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 565pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU3N50CTU
- fqu3n50ctu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 365pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU3N60TU
- fqu3n60tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU3N40TU
- fqu3n40tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 2A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU30N06LTU
- fqu30n06ltu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 24A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 24A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1040pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQU2N90TU
- fqu2n90tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 850mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК